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索引

12AU7
1.2
5AR4
1.1
amplification factor
1.3.1
cascode
2.7
Circuit Maker
2.1.2.1
Eg-Ip 特性曲線
1.2
Ep-Eg 特性曲線
1.2
Ep-Ip 特性曲線
1.1
G
1.1
gm (Rの関数)
1.3.2 | B.3.4
gmp (Rの関数)
B.3.10
Ig (Rの関数)
B.3.3
Ig2 (Rの関数)
B.3.9
Igp (Rの関数)
B.3.8
Ip (Rの関数)
B.3.2
Ip.cal (Rの関数)
B.4.2
Ip.sub (Rの関数)
B.3.2
Ipp (Rの関数)
B.3.7
load line
1.4
$ \mho$
1.3.2
mu (Rの関数)
1.3.1 | B.3.6
mug12 (Rの関数)
B.3.14
mup (Rの関数)
B.3.12
perveance
1.1
plate registance
1.3.3
r2spice (Rの関数)
B.5.3
rg2 (Rの関数)
B.3.13
rp (Rの関数)
1.3.3 | B.3.5
rpp (Rの関数)
B.3.11
S (シーメンス)
1.3.2
trans.cascode (Rの関数)
2.5.2 | 2.5.4 | 2.6.3 | 2.7.3
transconductance
1.3.2
1次インダクタンス
5.2
オームの法則
A.1.1
カスコード接続
2.4 | 2.7
カップリングコンデンサ
2.1
グリッド電流
2.1
グリッド特性
1.2
グリッドバイアス
1.4
結合インダクタ
5.4
結合係数
5.4
固定バイアス
2.1
三定数
1.3
シーメンス
1.3.2
初速度電流
2.5.1.0.1
自己バイアス
2.1
静特性
1.
相互コンダクタンス
1.3.2
増幅度
1.4
増幅率
1.3.1
定損失
5.2.1
鉄損
5.2
動作点
1.4
動特性曲線
2.5.1.0.2
内部抵抗
1.3.3
バイアス
1.4
バイパスコンデンサ
2.1
パービアンス
1.1
負荷抵抗線
1.4
プレート抵抗
1.3.3
プレート特性
1.1
巻数比
5.1
巻線抵抗
5.1
理想トランス
5.1
励磁インダクタンス
5.2
ロードライン
1.4
漏洩磁束
5.1
漏洩インダクタンス
5.2


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Ayumi Nakabayashi
平成19年6月28日